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壓阻式加速度傳感器

單晶硅材料受到力的作用后，其電阻率（或電阻）就會發(fā)生變化，這種現(xiàn)象稱為壓阻效應。壓阻式加速度傳感器是利用固體的壓阻效應制成的一種測量裝置。壓阻式加速度傳感器利用單晶硅作為懸臂梁，在其根部擴散出四個電阻，當懸臂梁自由端的質(zhì)量塊受有加速度作用時，懸臂梁受到彎矩作用，產(chǎn)生應力，使四個電阻阻值發(fā)生變化。

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產(chǎn)品描述

特點：

利用單晶硅作為懸臂梁, 在其根部擴散出四個電阻，當懸臂梁自由端的質(zhì)量塊受有加速度作用時，懸臂梁受到彎矩作用，產(chǎn)生應力，使四個電阻阻值發(fā)生變化。最小重量為6g，最大量程范圍6000g。

應用：

惡劣環(huán)境、事故、碰撞測試、振動/ 沖擊測試、航天航空、形態(tài)分析、機械設備、儀器運動控制

主要技術指標：

型號	靈敏度	量程	頻率	尺寸	重量	供電
1B105	0.1mV/m·s^-2@5Vdc	500m·s^-2	0 ～ 1000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B106	0.05mV/m·s^-2@5Vdc	1000m·s²	0 ～ 1200Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B107	0.04mV/m·s^-2@5Vdc	2000m·s^-2	0 ～ 1400Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B108	0.02mV/m·s^-2@5Vdc	5000m·s^-2	0 ～ 2000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B109	0.008mV/m·s^-2@5Vdc	20000m·s^-2	0 ～ 4500Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc
1B110	0.005mV/m·s^-2@5Vdc	60000m·s^-2	0 ～ 5000Hz(±5%)	12×10×6.5mm	6g	（2 ～ 10）Vdc